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簡(jian)要描述：【無錫冠(guan)亞】半導體(ti)(ti)控(kong)溫解(jie)決方案主要(yao)產(chan)品包括(kuo)半導體(ti)(ti)專?溫控(kong)設(she)備、射(she)流式?低溫沖擊測試機和半導體(ti)(ti)??藝廢?處理裝(zhuang)置等?設(she)備，?泛應(ying)?于半導體(ti)(ti)、LED、LCD、太(tai)陽能(neng)光伏等領域(yu)。Chillers半導體(ti)(ti)控(kong)溫裝(zhuang)置 模塊循環制冷機
產品型(xing)號：LTS-202廠商性質：生產廠家更新時(shi)間：2024-01-11訪 問 量：855| 品牌 | 冠亞制冷 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥,汽車 |
主要產品包括(kuo)半導體專(zhuan)?溫控設備、射流(liu)式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理(li)裝置等?設備，
?泛應?于半導體、LED、LCD、太陽能光伏等領域(yu)。
半導體專溫控設備
射流式?低(di)溫沖擊(ji)測試機
半導體專(zhuan)用溫控設備chiller
Chiller氣(qi)體(ti)降溫控溫系統
Chiller直冷型
循環風控溫(wen)裝(zhuang)置
半導體?低溫測試設(she)備
電?設備?溫(wen)低溫(wen)恒溫(wen)測試冷(leng)熱源
射(she)流式高低溫(wen)沖擊(ji)測試機
快速溫變控溫卡盤
數據中心(xin)液(ye)冷(leng)解(jie)決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器，擴展-25℃～80℃ | ||||||
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環制冷機
集成電(dian)路晶圓(yuan)制造Chiller在半導體(ti)制造工(gong)藝中(zhong)作為一種制冷加(jia)熱動態控(kong)溫設備，可以用(yong)在不(bu)同的工(gong)藝中(zhong)，以下(xia)是(shi)在半導體(ti)制造工(gong)藝中(zhong)的應用(yong)：
1、氧化(hua)(hua)工藝：在氧化(hua)(hua)工藝中(zhong)，需要將(jiang)硅片放入氧化(hua)(hua)爐中(zhong)，并在高溫下進行氧化(hua)(hua)反應。集成電路晶圓制造Chiller可以控制(zhi)氧化(hua)爐的(de)溫度(du)和氣氛(fen)，以確保(bao)氧化(hua)反(fan)應的(de)穩(wen)定性和均(jun)勻性。
2、退(tui)火工(gong)藝：在退(tui)火工(gong)藝中，需要將(jiang)硅片(pian)加熱(re)到一定溫度，并(bing)保持一段時間，以(yi)消除晶格(ge)中的應力(li)并(bing)改善材料(liao)的性能(neng)。集成電路晶圓(yuan)制(zhi)造(zao)Chiller可以控制退火爐(lu)的(de)溫度和(he)(he)時間，以確保退火過程的(de)穩定(ding)性和(he)(he)可靠性。
3、刻蝕工(gong)藝：在刻蝕工(gong)藝中(zhong)，需要將(jiang)硅片(pian)暴露在化(hua)學試劑中(zhong)，以去(qu)除(chu)不(bu)需要的材料。集成電路晶圓制(zhi)造(zao)Chiller可以控制化學試(shi)劑的(de)溫(wen)度和(he)流量，以確保刻蝕過程的(de)穩定性和(he)精度。
4、薄膜(mo)沉(chen)(chen)積工藝(yi)：在(zai)薄膜(mo)沉(chen)(chen)積工藝(yi)中，需(xu)要將材料沉(chen)(chen)積在(zai)硅片上，以形成所需(xu)的薄膜(mo)結構(gou)。集成電路晶圓制造Chiller可以(yi)控制(zhi)沉(chen)積設備(bei)的溫度和氣氛(fen)，以(yi)確保薄(bo)膜沉(chen)積的穩定性和質量。
5、離子(zi)注入(ru)工藝：在離子(zi)注入(ru)工藝中，需(xu)要(yao)將離子(zi)注入(ru)到(dao)硅片中，以改變材料(liao)的性質(zhi)和結構。集(ji)成(cheng)電路(lu)晶(jing)圓制(zhi)造Chiller可以控制離(li)子(zi)注入(ru)設備的(de)溫度(du)和(he)電(dian)流，以確保離(li)子(zi)注入(ru)的(de)穩定性和(he)精(jing)度(du)。
